Njira yokonzekera kristalo mu SiC single crystal kukula 3

Kutsimikizira Kukula
Thesilicon carbide (SiC)makhiristo ambewu adakonzedwa motsatira ndondomeko yomwe yafotokozedwa ndikutsimikiziridwa kudzera mu kukula kwa kristalo wa SiC. Pulatifomu yakukula yomwe idagwiritsidwa ntchito inali ng'anjo yodzipangira yokha ya SiC yokhala ndi kutentha kwa 2200 ℃, kuthamanga kwa 200 Pa, ndi nthawi yakukula kwa maola 100.

Kukonzekera kumakhudza a6-inch SiC chowotchandi nkhope zonse za kaboni ndi silicon zopukutidwa, amtandamakulidwe ofanana a ≤10 µm, ndi nkhope ya silicon ya ≤0.3 nm. Mapepala a 200 mm, 500 µm wandiweyani wa graphite pepala, pamodzi ndi guluu, mowa, ndi nsalu zopanda lint zidakonzedwanso.

TheSiC chowotchaanali ozungulira-wokutidwa ndi zomatira pamwamba pa zomangira kwa masekondi 15 pa 1500 r/min.

The zomatira pa kugwirizana pamwamba paSiC chowotchaanauma pa mbale yotentha.

Mapepala a graphite ndiSiC chowotcha(zomangira zoyang'ana pansi) zidapachikidwa kuchokera pansi kupita pamwamba ndikuyikidwa mu ng'anjo ya kristalo yotentha yambewu. Kukanikiza kotentha kunachitika molingana ndi ndondomeko yosindikizira yotentha yomwe idakonzedweratu. Chithunzi 6 chikuwonetsa kristalo wa mbewu pambuyo pa kukula. Zitha kuwoneka kuti pamwamba pa kristalo ya mbewu ndi yosalala popanda zizindikiro za delamination, kusonyeza kuti makhiristo a mbewu ya SiC okonzedwa mu phunziroli ali ndi khalidwe labwino komanso wosanjikiza wandiweyani womangirira.

Mapeto
Poganizira za njira zamakono zomangira ndi zopachika zokometsera kristalo wa mbewu, njira yophatikizira yolumikizana ndi kupachika idapangidwa. Phunziroli linayang'ana pakukonzekera filimu ya carbon ndimtanda/ graphite mapepala omangirira ndondomeko yofunikira pa njirayi, zomwe zimatsogolera ku zotsatirazi:

Kukhuthala kwa zomatira zomwe zimafunikira pafilimu ya kaboni pa choyikapo kuyenera kukhala 100 mPa · s, ndi kutentha kwa carbonization ≥600 ℃. Malo abwino kwambiri a carbonization ndi malo otetezedwa ndi argon. Ngati atachitidwa pansi pa vacuum, digiri ya vacuum iyenera kukhala ≤1 Pa.

Njira zonse za carbonization ndi zomangira zimafunikira kuchiritsa kwa kutentha pang'ono kwa carbonization ndi zomatira zomangira pamtunda kuti zitulutse mpweya kuchokera pazomatira, kuletsa kuwonongeka ndi kusokonekera pagawo lomangirira panthawi ya carbonization.

Zomatira zomangira za pepala la wafer / graphite ziyenera kukhala ndi kukhuthala kwa 25 mPa · s, ndi kukakamiza kolumikizana kwa ≥15 kN. Panthawi yolumikizana, kutentha kuyenera kukwezedwa pang'onopang'ono m'malo otsika (<120 ℃) ​​pafupifupi maola 1.5. Kutsimikizika kwa kukula kwa kristalo wa SiC kunatsimikizira kuti makhiristo okonzeka a SiC amakwaniritsa zofunikira za kukula kwa kristalo wa SiC wapamwamba kwambiri, wokhala ndi malo osalala a kristalo wambewu ndipo palibe mpweya.